Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
AOI7N65
Product Overview
Valmistaja:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Osan numero:
AOI7N65-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-251A
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12845324
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
AOI7N65 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
178W (Tc)
Käyttölämpötila
-50°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251A
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Perustuotenumero
AOI7
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
AOI7N65
Tuotteen piirustukset
TO251A Pkg Drawing
HTML-tietolomake
AOI7N65-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,500
Muut nimet
785-1453-5
5202-AOI7N65
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STU6N65M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
543
DiGi OSA NUMERO
STU6N65M2-DG
Yksikköhinta
0.44
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STU5N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
831
DiGi OSA NUMERO
STU5N60M2-DG
Yksikköhinta
0.47
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AON2290
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
AOT410L
MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220
NVMFS4C302NT1G
MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN
AOB29S50L
MOSFET N-CH 500V 29A TO263