Valmistajan tuotenumero:

AOK065V65X2

Product Overview

Valmistaja:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Osan numero:

AOK065V65X2-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 650 V 40.3A (Tc) 187.5W (Ta) Through Hole TO-247

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12996234

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

AOK065V65X2 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Paketti

Tube

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

650 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

40.3A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

15V

Rds päällä (max) @ id, vgs

85mOhm @ 10A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 10mA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

58.8 nC @ 15 V

Vgs (enintään)

+15V, -5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1762 pF @ 400 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

187.5W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Toimittajan laitepaketti

TO-247

Pakkaus / Kotelo

TO-247-3

Perustuotenumero

AOK065

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

240

Muut nimet

785-AOK065V65X2

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

nexperia

PSMN4R8-100YSEX

PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS

rohm-semi

R6520ENZ4C13

650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

rohm-semi

R6535ENZ4C13

650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER

AOB66620L

N