Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
AON5802B
Product Overview
Valmistaja:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Osan numero:
AON5802B-DG
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 30V 7.2A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12845512
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
AON5802B Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.2A
Rds päällä (max) @ id, vgs
19mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1150pF @ 15V
Teho - Max
1.6W
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-WFDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
6-DFN-EP (2x5)
Perustuotenumero
AON5802
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
AON5802B(L)
Tietokortit
AON5802B
HTML-tietolomake
AON5802B-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
AON5820
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
AON5820-DG
Yksikköhinta
0.22
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
DMG5802LFX-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
2929
DiGi OSA NUMERO
DMG5802LFX-7-DG
Yksikköhinta
0.19
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AON6973A
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
AO4932
MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC
AO6800L
MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6TSOP
AO4812_101
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC