Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
DDTC113ZE-7-F
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DDTC113ZE-7-F-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12921221
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DDTC113ZE-7-F Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
1 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
10 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 5mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250 MHz
Teho - Max
150 mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SOT-523
Toimittajan laitepaketti
SOT-523
Perustuotenumero
DDTC113
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
DDTC1x3xE, DDTC1x4xE
Tietokortit
DDTC113ZE-7-F
HTML-tietolomake
DDTC113ZE-7-F-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
DDTC113ZE-FDIDKR
DDTC113ZE7F
DDTC113ZE-FDITR
31-DDTC113ZE-7-FTR
DDTC113ZE-FDICT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DDTA144WUA-7
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
DDTA144ELP-7
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
DDTC113ZE-7
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DDTC115TE-7
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523