DMC2710UVT-13

Valmistajan tuotenumero:

DMC2710UVT-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMC2710UVT-13-DG

Kuvaus:

MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6

Yksityiskohtainen kuvaus:

Mosfet Array 20V 1.2A (Ta), 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount TSOT-23-6

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12882738

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMC2710UVT-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguraatio

N and P-Channel Complementary

FET-ominaisuus

-

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

1.2A (Ta), 900mA (Ta)

Rds päällä (max) @ id, vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

42pF @ 16V, 49pF @ 16V

Teho - Max

500mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Pakkaus / Kotelo

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Toimittajan laitepaketti

TSOT-23-6

Perustuotenumero

DMC2710

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMC2710UVT-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

10,000

Muut nimet

DMC2710UVT-13DI

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMN3032LFDB-7

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

diodes

DMC3016LDV-7

MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333

diodes

DMC4040SSDQ-13

MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO

diodes

2N7002DWQ-7-F

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363