DMC3025LNS-13

Valmistajan tuotenumero:

DMC3025LNS-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMC3025LNS-13-DG

Kuvaus:

MOSFET N/P-CH 30V 7.2A PWRDI3333

Yksityiskohtainen kuvaus:

Mosfet Array 30V 7.2A (Ta), 6.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12882336

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMC3025LNS-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguraatio

N and P-Channel Complementary

FET-ominaisuus

-

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

7.2A (Ta), 6.8A (Ta)

Rds päällä (max) @ id, vgs

25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

Teho - Max

1.2W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Aste

Automotive

Ehto

AEC-Q101

Asennustyyppi

Surface Mount

Pakkaus / Kotelo

8-PowerVDFN

Toimittajan laitepaketti

PowerDI3333-8

Perustuotenumero

DMC3025

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMC3025LNS-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMG4800LSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

diodes

2N7002VAC-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563

DMT3022UEV-13

MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333

diodes

DMP2200UDW-7

MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363