DMG7430LFG-7

Valmistajan tuotenumero:

DMG7430LFG-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMG7430LFG-7-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 30 V 10.5A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Varasto:

121618 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12884315

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMG7430LFG-7 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

10.5A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

26.7 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1281 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

900mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

PowerDI3333-8

Pakkaus / Kotelo

8-PowerVDFN

Perustuotenumero

DMG7430

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMG7430LFG-7-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,000

Muut nimet

DMG7430LFG-7DITR

DMG7430LFG-7DICT

DMG7430LFG7

DMG7430LFG-7DIDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMP3130LQ-7

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23

diodes

DMPH3010LK3-13

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

diodes

DMN2058U-7

MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

diodes

DMPH4015SSSQ-13

MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO