Valmistajan tuotenumero:
DMN1008UFDF-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMN1008UFDF-7-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Varasto:
2425 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12884427
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMN1008UFDF-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12.2A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
995 pF @ 6 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
700mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakkaus / Kotelo
6-UDFN Exposed Pad
Perustuotenumero
DMN1008
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
31-DMN1008UFDF-7CT
DMN1008UFDF-7-DG
31-DMN1008UFDF-7TR
31-DMN1008UFDF-7DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMN1008UFDF-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
39895
DiGi OSA NUMERO
DMN1008UFDF-13-DG
Yksikköhinta
0.09
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMT10H025SK3-13
MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
DMN3110LCP3-7
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
DMPH4023SK3-13
MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R
