Valmistajan tuotenumero:
DMN1023UCB4-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMN1023UCB4-7-DG
Kuvaus:
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 12 V 5.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4 (Type C)
Varasto:
12891750
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
xqVo
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMN1023UCB4-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
23mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
288 pF @ 6 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
800mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
U-WLB1010-4 (Type C)
Pakkaus / Kotelo
4-UFBGA, WLBGA
Perustuotenumero
DMN1023
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN2026UVT-7
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
DMN1014UFDF-13
MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
DMN24H3D6S-13
MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23