DMN2012UCA6-7

Valmistajan tuotenumero:

DMN2012UCA6-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMN2012UCA6-7-DG

Kuvaus:

MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718

Yksityiskohtainen kuvaus:

Mosfet Array 24V 13A (Ta) 820mW Surface Mount X3-DSN2718-6

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12884603

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMN2012UCA6-7 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguraatio

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-ominaisuus

-

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

24V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

13A (Ta)

Rds päällä (max) @ id, vgs

9mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2417pF @ 10V

Teho - Max

820mW

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Pakkaus / Kotelo

6-SMD, No Lead

Toimittajan laitepaketti

X3-DSN2718-6

Perustuotenumero

DMN2012

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMN2012UCA6-7-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMC31D5UDJ-7

MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963

diodes

DMN3013LDG-7

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333

diodes

DMN2041UFDB-13

MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

diodes

DMN61D9UDW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363