DMN2013UFDE-7

Valmistajan tuotenumero:

DMN2013UFDE-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMN2013UFDE-7-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

Varasto:

3000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12888027

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMN2013UFDE-7 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

10.5A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

1.5V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

11mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

25.8 nC @ 8 V

Vgs (enintään)

±8V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2453 pF @ 10 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

660mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

U-DFN2020-6 (Type E)

Pakkaus / Kotelo

6-PowerUDFN

Perustuotenumero

DMN2013

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMN2013UFDE-7-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

DMN2013UFDE-7DICT

DMN2013UFDE-7DITR

DMN2013UFDE7

DMN2013UFDE-7DIDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMN2011UFDE-13

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

diodes

DMNH6021SK3-13

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

diodes

DMN4034SSS-13

MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

diodes

DMG4468LFG-7

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN