Valmistajan tuotenumero:
DMN2310UTQ-13
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMN2310UTQ-13-DG
Kuvaus:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Varasto:
12987211
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMN2310UTQ-13 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
38 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
290mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-523
Pakkaus / Kotelo
SOT-523
Perustuotenumero
DMN2310
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
10,000
Muut nimet
31-DMN2310UTQ-13TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMN2310UT-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMN2310UT-13-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
DMN2310UTQ-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
2963
DiGi OSA NUMERO
DMN2310UTQ-7-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SIHA14N60E-GE3
N-CHANNEL 600V
PJQ1916_R1_00201
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
DMT64M1LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
