Valmistajan tuotenumero:
DMN2501UFB4-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMN2501UFB4-7-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Varasto:
2900 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12888505
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMN2501UFB4-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
82 pF @ 16 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
500mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
X2-DFN1006-3
Pakkaus / Kotelo
3-XFDFN
Perustuotenumero
DMN2501
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
DMN2501UFB4-7DITR
DMN2501UFB4-7DICT-DG
DMN2501UFB4-7DIDKR-DG
DMN2501UFB4-7DI
DMN2501UFB4-7DITR-DG
DMN2501UFB4-7DIDKR
-DMN2501UFB4-7DITR
31-DMN2501UFB4-7CT
31-DMN2501UFB4-7TR
DMN2501UFB4-7DI-DG
31-DMN2501UFB4-7DKR
DMN2501UFB4-7DICT
-DMN2501UFB4-7DICT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PMZB290UNE2YL
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
35118
DiGi OSA NUMERO
PMZB290UNE2YL-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN3060LCA3-7
MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
DMP2110U-7
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
DMN53D0U-7
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
