DMN3015LSD-13

Valmistajan tuotenumero:

DMN3015LSD-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMN3015LSD-13-DG

Kuvaus:

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Yksityiskohtainen kuvaus:

Mosfet Array 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO

Varasto:

5165 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12884408

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMN3015LSD-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguraatio

2 N-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

-

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

8.4A (Ta)

Rds päällä (max) @ id, vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Teho - Max

1.2W

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Pakkaus / Kotelo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Toimittajan laitepaketti

8-SO

Perustuotenumero

DMN3015

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMN3015LSD-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,500

Muut nimet

DMN3015LSD-13DICT

DMN3015LSD-13DITR

DMN3015LSD-13DIDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMC1028UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 6A/3.4A 6UDFN

diodes

2N7002DW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

diodes

DMC1229UFDB-13

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN

diodes

DMC1029UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN