Valmistajan tuotenumero:

DMN3035LWN-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMN3035LWN-13-DG

Kuvaus:

MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN

Yksityiskohtainen kuvaus:

Mosfet Array 5.5A (Ta) Surface Mount V-DFN3020-8

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12901204

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMN3035LWN-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguraatio

2 N-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

-

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Rds päällä (max) @ id, vgs

35mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

399pF @ 15V

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Pakkaus / Kotelo

8-PowerVDFN

Toimittajan laitepaketti

V-DFN3020-8

Perustuotenumero

DMN3035

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMN3035LWN-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

10,000

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMN61D8LVT-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

fairchild-semiconductor

HUFA76504DK8T

MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC

DMT3022UEV-7

MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333

diodes

BSS8402DWQ-7

MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363