DMN30H4D1S-13
Valmistajan tuotenumero:

DMN30H4D1S-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMN30H4D1S-13-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 300 V 430mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu
12884002
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

DMN30H4D1S-13 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
300 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
430mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
174 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
360mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Perustuotenumero
DMN30

Lisätietoja

Vakio-paketti
10,000
Muut nimet
DMN30H4D1S-13DI

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
DMN30H4D0L-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
6760
DiGi OSA NUMERO
DMN30H4D0L-13-DG
Yksikköhinta
0.14
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
diodes

DMN3025LFG-13

MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

diodes

DMN2046U-7

MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

diodes

DMP31D0UFB4-7B

MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN

diodes

DMN3110S-7

MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23