Valmistajan tuotenumero:
DMN4010LFG-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMN4010LFG-7-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 11.5A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Varasto:
1100 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12887762
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMN4010LFG-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
930mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
DMN4010
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
DMN4010LFG-7DICT
DMN4010LFG-7DIDKR
DMN4010LFG-7DITR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RQ3G100GNTB
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
112698
DiGi OSA NUMERO
RQ3G100GNTB-DG
Yksikköhinta
0.14
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
DMN4010LFG-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMN4010LFG-13-DG
Yksikköhinta
0.17
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
ZVNL110GTA
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
DMN2028USS-13
MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
DMN13H750S-13
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23