DMN6017SFV-7

Valmistajan tuotenumero:

DMN6017SFV-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMN6017SFV-7-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 35A POWERDI3333

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 35A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12888380

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMN6017SFV-7 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

35A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

18mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

55 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2711 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

1W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

PowerDI3333-8 (Type UX)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerVDFN

Perustuotenumero

DMN6017

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMN6017SFV-7-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,000

Muut nimet

31-DMN6017SFV-7CT

31-DMN6017SFV-7TR

DMN6017SFV-7-DG

31-DMN6017SFV-7DKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMJ70H1D3SJ3

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

diodes

DMP3007SCG-7

MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN

diodes

DMP32D4S-13

MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23

diodes

DMG2302UK-7

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23