Valmistajan tuotenumero:
DMN61D9UT-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMN61D9UT-7-DG
Kuvaus:
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 350mA (Ta) 260mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Varasto:
12979110
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMN61D9UT-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
28.5 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
260mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-523
Pakkaus / Kotelo
SOT-523
Perustuotenumero
DMN61
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
31-DMN61D9UT-7TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMT8008SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT61M8SPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
TK170V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
