Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
DMP1022UFDE-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMP1022UFDE-7-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 12 V 9.1A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12883033
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMP1022UFDE-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9.1A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.2V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
42.6 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2953 pF @ 4 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
660mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
U-DFN2020-6 (Type E)
Pakkaus / Kotelo
6-PowerUDFN
Perustuotenumero
DMP1022
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
DMP1022UFDE-7DICT
DMP1022UFDE-7DIDKR
DMP1022UFDE7
DMP1022UFDE-7DITR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMP1005UFDF-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
402227
DiGi OSA NUMERO
DMP1005UFDF-7-DG
Yksikköhinta
0.13
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
SIA413ADJ-T1-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
2900
DiGi OSA NUMERO
SIA413ADJ-T1-GE3-DG
Yksikköhinta
0.31
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
DMP1022UFDEQ-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMP1022UFDEQ-7-DG
Yksikköhinta
0.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN90H8D5HCTI
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
DMG7401SFGQ-13
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
DMP3056LVT-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
DMN80H2D0SCTI
MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB