Valmistajan tuotenumero:

DMP1022UWS-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMP1022UWS-13-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 12 V 7.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount V-DFN3020-8

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12882876

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMP1022UWS-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

12 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

7.2A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

1.8V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 5 V

Vgs (enintään)

±8V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2847 pF @ 4 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

900mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

V-DFN3020-8

Pakkaus / Kotelo

8-VDFN

Perustuotenumero

DMP1022

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMP1022UWS-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

10,000

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMNH4006SPSQ-13

MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8

diodes

DMN2011UFDF-7

MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN

diodes

BSS138W-7-F

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323

diodes

DMN3731U-7

MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23