Valmistajan tuotenumero:
DMP2006UFGQ-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMP2006UFGQ-7-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 17.5A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Varasto:
1990 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12888320
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMP2006UFGQ-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17.5A (Ta), 40A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
DMP2006
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
31-DMP2006UFGQ-7DKR
31-DMP2006UFGQ-7TR
DMP2006UFGQ-7-DG
31-DMP2006UFGQ-7CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMP2006UFGQ-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMP2006UFGQ-13-DG
Yksikköhinta
0.32
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN3009SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
DMT32M5LFG-7
MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
DMTH3004LPS-13
MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
