Valmistajan tuotenumero:
DMP2008UFG-13
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMP2008UFG-13-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 14A (Ta), 54A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Varasto:
13173 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12882770
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMP2008UFG-13 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
14A (Ta), 54A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6909 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
DMP2008
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
DMP2008UFG-13DITR
DMP2008UFG-13DICT
DMP2008UFG-13DIDKR
DMP2008UFG-13DI
DMP2008UFG-13DI-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMP1245UFCL-7
MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
DMN10H120SFG-13
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
DMN2011UFDF-13
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN