Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
DMP2109UVT-13
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMP2109UVT-13-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12884555
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMP2109UVT-13 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
443 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.2W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TSOT-26
Pakkaus / Kotelo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Perustuotenumero
DMP2109
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
DMP2109UVT
Tietokortit
DMP2109UVT-13
HTML-tietolomake
DMP2109UVT-13-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
10,000
Muut nimet
DMP2109UVT-13DI
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMP2109UVTQ-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMP2109UVTQ-7-DG
Yksikköhinta
0.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMP2003UPS-13
MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
DMPH4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
DMP2040UVT-7
MOSFET P-CH 20V TSOT26
DMP32D9UFZ-7B
MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN