Valmistajan tuotenumero:

DMP22D4UFO-7B

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMP22D4UFO-7B-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 20 V 530mA (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0604-3

Varasto:

20851 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12884846

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMP22D4UFO-7B Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

530mA (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

1.5V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

0.4 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±8V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

28.7 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

820mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

X2-DFN0604-3

Pakkaus / Kotelo

3-XFDFN

Perustuotenumero

DMP22

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMP22D4UFO-7B-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

10,000

Muut nimet

31-DMP22D4UFO-7BTR

DMP22D4UFO-7B-DG

31-DMP22D4UFO-7BCT

31-DMP22D4UFO-7BDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMN63D1LT-13

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

DMP2040UVT-13

MOSFET P-CH 20V TSOT26

diodes

BSS123W-7-F

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323

diodes

DMT6016LPS-13

MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060