Valmistajan tuotenumero:
DMP6023LFGQ-13
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMP6023LFGQ-13-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 60 V 7.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Varasto:
2531 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12888857
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMP6023LFGQ-13 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
25mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
53.1 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2569 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 155°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
DMP6023
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
31-DMP6023LFGQ-13CT
DMP6023LFGQ-13-DG
31-DMP6023LFGQ-13TR
31-DMP6023LFGQ-13DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMP6023LFGQ-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
4199
DiGi OSA NUMERO
DMP6023LFGQ-7-DG
Yksikköhinta
0.23
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMP4015SSSQ-13
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
DMTH6004SCTB-13
MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
DMT8008LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8
