DMPH6050SFGQ-13
Valmistajan tuotenumero:

DMPH6050SFGQ-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMPH6050SFGQ-13-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 60 V 6.1A (Ta), 18A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Varasto:

8995 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12884174
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

DMPH6050SFGQ-13 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.1A (Ta), 18A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
50mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
24.1 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1293 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.2W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
DMPH6050

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
31-DMPH6050SFGQ-13CT
DMPH6050SFGQ-13-DG
31-DMPH6050SFGQ-13DKR
31-DMPH6050SFGQ-13TR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

BSS123W-7

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323

diodes

DMN2028UFDF-13

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN

diodes

DMP6185SEQ-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223

diodes

DMN2025U-13

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1