Valmistajan tuotenumero:
DMS3016SFG-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMS3016SFG-7-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Varasto:
12883518
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMS3016SFG-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
13mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
44.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1886 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
Schottky Diode (Body)
Tehohäviö (enintään)
980mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
DMS3016SFG-7DITR
DMS3016SFG7
DMS3016SFG-7DICT
DMS3016SFG-7DIDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RQ3E100MNTB1
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
5261
DiGi OSA NUMERO
RQ3E100MNTB1-DG
Yksikköhinta
0.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
RQ3E080BNTB
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
40431
DiGi OSA NUMERO
RQ3E080BNTB-DG
Yksikköhinta
0.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN3731UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
DMT3008LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
