DMT3006LDV-13

Valmistajan tuotenumero:

DMT3006LDV-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMT3006LDV-13-DG

Kuvaus:

MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333

Yksityiskohtainen kuvaus:

Mosfet Array 30V 25A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12899415

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMT3006LDV-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguraatio

2 N-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

-

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

25A (Tc)

Rds päällä (max) @ id, vgs

10mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

16.7nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1155pF @ 15V

Teho - Max

900mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Pakkaus / Kotelo

8-PowerVDFN

Toimittajan laitepaketti

PowerDI3333-8 (Type UXC)

Perustuotenumero

DMT3006

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMT3006LDV-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMP4047SSD-13

MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SO

diodes

DMN31D5UDA-7B

MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN

diodes

DMN5L06DWK-7-01

MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363

taiwan-semiconductor

TSM250N02DCQ RFG

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN