DMT6005LPS-13
Valmistajan tuotenumero:

DMT6005LPS-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMT6005LPS-13-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 17.9A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Varasto:

3814 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12894936
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

DMT6005LPS-13 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17.9A (Ta), 100A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
47.1 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2962 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.6W (Ta), 125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI5060-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
DMT6005

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
DMT6005LPS
Tietokortit
DMT6005LPS-13
HTML-tietolomake
DMT6005LPS-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
DMT6005LPS-13DICT
DMT6005LPS-13DITR
DMT6005LPS-13DIDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
diodes

DMP2088LCP3-7

MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3

diodes

DMTH6004SPS-13

MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060

diodes

DMP6350SQ-7

MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23

diodes

DMP6350S-13

MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23