DMT6005LSS-13

Valmistajan tuotenumero:

DMT6005LSS-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMT6005LSS-13-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 13.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO

Varasto:

7982 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12893875

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMT6005LSS-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

13.5A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

47.1 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2962 pF @ 30 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

1.3W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-SO

Pakkaus / Kotelo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Perustuotenumero

DMT6005

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMT6005LSS-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,500

Muut nimet

DMT6005LSS-13DICT

DMT6005LSS-13DITR

DMT6005LSS-13DIDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

taiwan-semiconductor

TSM1N45DCS RLG

MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM6N60CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251

nexperia

PSMN027-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F

taiwan-semiconductor

TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263