DMT6010LFG-7

Valmistajan tuotenumero:

DMT6010LFG-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMT6010LFG-7-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Varasto:

3821 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12888693

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMT6010LFG-7 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

13A (Ta), 30A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

41.3 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2090 pF @ 30 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.2W (Ta), 41W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

PowerDI3333-8

Pakkaus / Kotelo

8-PowerVDFN

Perustuotenumero

DMT6010

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMT6010LFG-7-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,000

Muut nimet

DMT6010LFG-7DITR

DMT6010LFG-7DIDKR

DMT6010LFG-7DICT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMS3012SFG-7

MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333

diodes

DMN2005LPK-7

MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN

diodes

DMP4013LFG-7

MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333

diodes

DMN2055U-7

MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3