DMT6010LPS-13

Valmistajan tuotenumero:

DMT6010LPS-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMT6010LPS-13-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Varasto:

4694 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12884808

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMT6010LPS-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

13.5A (Ta), 80A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

41.3 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2090 pF @ 30 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.2W (Ta), 113W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

PowerDI5060-8

Pakkaus / Kotelo

8-PowerTDFN

Perustuotenumero

DMT6010

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMT6010LPS-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,500

Muut nimet

DMT6010LPS-13DICT

DMT6010LPS-13DITR

DMT6010LPS-13DIDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMN10H170SFG-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

DMPH6050SFG-7

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

diodes

BSN20-7

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

diodes

DMPH4015SK3Q-13

MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252