DMT6012LFDF-7
Valmistajan tuotenumero:

DMT6012LFDF-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMT6012LFDF-7-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Varasto:

3000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12949427
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

DMT6012LFDF-7 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
14mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
900mW (Ta), 11W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakkaus / Kotelo
6-UDFN Exposed Pad
Perustuotenumero
DMT6012

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
DMT6012LFDF-7-DG
31-DMT6012LFDF-7TR
31-DMT6012LFDF-7DKR
31-DMT6012LFDF-7CT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

DMN55D0UT-7

MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

diodes

DMP21D0UFB4-7B

MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN

diodes

ZXMP6A17N8TC

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

diodes

DMG3404L-7

MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23