DMT6017LFV-7

Valmistajan tuotenumero:

DMT6017LFV-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMT6017LFV-7-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 65 V 36A (Tc) 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12888157

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMT6017LFV-7 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

65 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

36A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

15.3 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±16V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

891 pF @ 30 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.12W (Ta), 39.06W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

PowerDI3333-8 (Type UX)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerVDFN

Perustuotenumero

DMT6017

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMT6017LFV-7-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,000

Muut nimet

31-DMT6017LFV-7CT

DMT6017LFV-7-DG

31-DMT6017LFV-7TR

31-DMT6017LFV-7DKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMT6015LPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

diodes

DMP4025LK3-13

MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252

diodes

DMP32D4S-7

MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23

diodes

DMN3032LE-13

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223