Valmistajan tuotenumero:
DMTH10H009SPS-13
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMTH10H009SPS-13-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 88A (Tc) 1.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Varasto:
12898960
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMTH10H009SPS-13 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
16A (Ta), 88A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.6W (Ta), 100W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI5060-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
DMTH10
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
DMTH10H009SPS-13DI
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN2005LP4K-7
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
TSM70N1R4CH C5G
MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251
TSM70N900CP ROG
MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252
