Valmistajan tuotenumero:
DMTH10H010LCT
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMTH10H010LCT-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
41 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12888717
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMTH10H010LCT Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
108A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
53.7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2592 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.4W (Ta), 166W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
DMTH10
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
DMTH10H010LCTDI-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFP130N10T2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFP130N10T2-DG
Yksikköhinta
3.09
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
CSD19503KCS
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
390
DiGi OSA NUMERO
CSD19503KCS-DG
Yksikköhinta
0.67
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMP610DL-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
DMN31D5L-13
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
DMT6015LFV-7
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333