Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
DMTH10H032LFVW-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMTH10H032LFVW-7-DG
Kuvaus:
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
13002565
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMTH10H032LFVW-7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
26A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
30mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
683 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.7W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount, Wettable Flank
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
DMTH10
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
DMTH10H032LFVW
Tietokortit
DMTH10H032LFVW-7
HTML-tietolomake
DMTH10H032LFVW-7-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
31-DMTH10H032LFVW-7
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
DMTH10H032LFVWQ-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMTH10H032LFVWQ-7-DG
Yksikköhinta
0.24
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
DMTH10H032LFVW-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
3000
DiGi OSA NUMERO
DMTH10H032LFVW-13-DG
Yksikköhinta
0.19
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
DMTH10H032LFVWQ-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
1991
DiGi OSA NUMERO
DMTH10H032LFVWQ-13-DG
Yksikköhinta
0.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN2009UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
G75P04D5
MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
EPC7019GC
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
R6027YNXC7G
NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO