DMTH10H032LFVW-7
Valmistajan tuotenumero:

DMTH10H032LFVW-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMTH10H032LFVW-7-DG

Kuvaus:

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Varasto:

13002565
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

DMTH10H032LFVW-7 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
26A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
30mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
683 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.7W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount, Wettable Flank
Toimittajan laitepaketti
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
DMTH10

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
31-DMTH10H032LFVW-7

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
DMTH10H032LFVWQ-7
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
DMTH10H032LFVWQ-7-DG
Yksikköhinta
0.24
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
DMTH10H032LFVW-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
3000
DiGi OSA NUMERO
DMTH10H032LFVW-13-DG
Yksikköhinta
0.19
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
DMTH10H032LFVWQ-13
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
1991
DiGi OSA NUMERO
DMTH10H032LFVWQ-13-DG
Yksikköhinta
0.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

DMN2009UFDF-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO