DMTH62M8SPS-13

Valmistajan tuotenumero:

DMTH62M8SPS-13

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

DMTH62M8SPS-13-DG

Kuvaus:

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 100A (Tc) 3.2W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12888474

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

DMTH62M8SPS-13 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

100A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

2.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

95.4 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

4556 pF @ 30 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

3.2W

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

PowerDI5060-8 (Type K)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerTDFN

Perustuotenumero

DMTH62

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

DMTH62M8SPS-13-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,500

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMN53D0LQ-13

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

nexperia

BUK7Y7R8-80EX

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56

diodes

DMTH6005LCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB

diodes

DMN2024UFDF-13

MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN