Valmistajan tuotenumero:
DMTH8012LPSW-13
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
DMTH8012LPSW-13-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 53.7A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Varasto:
2500 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12897755
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
DMTH8012LPSW-13 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
53.7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1949 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.1W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerDI5060-8 (Type Q)
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
DMTH8012
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
31-DMTH8012LPSW-13CT
DMTH8012LPSW-13-DG
31-DMTH8012LPSW-13TR
31-DMTH8012LPSW-13DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TSM160N10LCR RLG
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
TSM80N1R2CH C5G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
TSM60N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252
