FMMT411FDBW-7
Valmistajan tuotenumero:

FMMT411FDBW-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

FMMT411FDBW-7-DG

Kuvaus:

SS BIPOLAR TRANSISTORS W-DFN2020
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 15 V 5 A 110MHz 1.7 W Surface Mount W-DFN2020-3 (Type A)

Varasto:

13000741
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FMMT411FDBW-7 Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Avalanche Mode
Virta - kollektori (ic) (enintään)
5 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
15 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
100mV @ 1mA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Teho - Max
1.7 W
Taajuus - siirtyminen
110MHz
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
3-UDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
W-DFN2020-3 (Type A)

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
31-FMMT411FDBW-7TR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

DXTN22040CFGQ-7

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

microchip-technology

MNS2N3637UB/TR

SMALL-SIGNAL BJT

diodes

DXTN03100CFG-7

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

diodes

BC857BQ-7-F

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23