MMBF170-7-F

Valmistajan tuotenumero:

MMBF170-7-F

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

MMBF170-7-F-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 500mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Varasto:

257219 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12887615

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

MMBF170-7-F Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

-

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

500mA (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

40 pF @ 10 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

300mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SOT-23-3

Pakkaus / Kotelo

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Perustuotenumero

MMBF170

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

MMBF170-FDICT

MMBF170-FDIDKR

MMBF170-FDITR

MMBF1707F

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

diodes

DMNH6008SPS-13

MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060

diodes

ZVP4105A

MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3

diodes

DMN10H170SVT-13

MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

diodes

ZVN0545ASTZ

MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE