MMDT5401Q-7-F
Valmistajan tuotenumero:

MMDT5401Q-7-F

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

MMDT5401Q-7-F-DG

Kuvaus:

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363

Varasto:

12890203
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

MMDT5401Q-7-F Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaaritransistorisarjat
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 PNP (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
200mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
150V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
500mV @ 5mA, 50mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
50nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Teho - Max
200mW
Taajuus - siirtyminen
300MHz
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
SOT-363
Perustuotenumero
MMDT5401

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

MMDT3904V-7

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C03FU-B,LF

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

toshiba-semiconductor-and-storage

ULN2803AFWG,C,EL

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1B04FE-GR,LF

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6