UMC4N-7
Valmistajan tuotenumero:

UMC4N-7

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

UMC4N-7-DG

Kuvaus:

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

Varasto:

1940 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12904483
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

UMC4N-7 Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
47kOhms, 10kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Teho - Max
150mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Toimittajan laitepaketti
SOT-353
Perustuotenumero
UMC4

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
UMC4N
Tietokortit
UMC4N-7
HTML-tietolomake
UMC4N-7-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
UMC4N-7DITR
UMC4N-7DIDKR
31-UMC4N-7CT
UMC4N-7DICT
UMC4N-7DITR-DG
UMC4N-7DICT-DG
UMC4N7
31-UMC4N-7TR
UMC4N-7-DG
31-UMC4N-7DKR
UMC4N-7DIDKR-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
diodes

DDA114YK-7-F

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26

diodes

DDA124EK-7-F

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26

rohm-semi

UMG5NTR

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

diodes

UMC5NQ-7

PREBIASTRANSISTORSOT353