Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Kongon demokraattinen tasavalta
Argentiina
Turkki
Romania
Liettua
Norja
Itävalta
Angola
Slovakia
Ltaly
Suomi
Valko-Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Montenegro
Venäjä
Belgia
Ruotsi
Serbia
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Moldova
Saksa
Alankomaat
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Ranska
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Portugali
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanja
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
UMC5N-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
UMC5N-7-DG
Kuvaus:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353
Varasto:
6000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12887419
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
UMC5N-7 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
47kOhms, 4.7kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms, 10kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Teho - Max
150mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Toimittajan laitepaketti
SOT-353
Perustuotenumero
UMC5
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
UMC5N
Tietokortit
UMC5N-7
HTML-tietolomake
UMC5N-7-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
UMC5N-7DICT
UMC5N-7DIDKR
UMC5N-7DITR
-UMC5N-7DIDKR
-UMC5N-7DICT
-UMC5N-7DITR
UMC5N-7-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DCX114EH-7
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
EMF21-7
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
DDC144EU-7-F
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
DDC144TH-7-F
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563