Valmistajan tuotenumero:
UMG4N-7
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
UMG4N-7-DG
Kuvaus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353
Varasto:
12906789
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
UMG4N-7 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
10kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
-
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Teho - Max
150mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Toimittajan laitepaketti
SOT-353
Perustuotenumero
UMG4
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
UMG4NTR
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
2855
DiGi OSA NUMERO
UMG4NTR-DG
Yksikköhinta
0.07
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PEMD30,315
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
PEMD16,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
PUMD16,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
