ZVN4306AVSTOA

Valmistajan tuotenumero:

ZVN4306AVSTOA

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

ZVN4306AVSTOA-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 60 V 1.1A (Ta) 850mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12905580

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

ZVN4306AVSTOA Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

Diodes Incorporated

Paketti

-

Sarja

-

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

350 pF @ 25 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

850mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Toimittajan laitepaketti

E-Line (TO-92 compatible)

Pakkaus / Kotelo

E-Line-3

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

ZVN4306AVSTOA-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,000

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

vishay-siliconix

IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

littelfuse

IXTA3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

diodes

ZXMN6A07ZTA

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3

littelfuse

IXFC14N60P

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220