Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
ZVNL120CSTZ
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
ZVNL120CSTZ-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 180mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12906558
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
ZVNL120CSTZ Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
180mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
3V, 5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
85 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
700mW (Ta)
Käyttölämpötila
-
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
E-Line (TO-92 compatible)
Pakkaus / Kotelo
E-Line-3
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
VN2410L-G
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
827
DiGi OSA NUMERO
VN2410L-G-DG
Yksikköhinta
0.84
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFA5N100P
MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
IRFR9210
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IXFP5N100P
MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
IRF730S
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK