Valmistajan tuotenumero:
ZXMN2B03E6TA
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
ZXMN2B03E6TA-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Varasto:
2518 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12904987
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
ZXMN2B03E6TA Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.1W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-6
Pakkaus / Kotelo
SOT-23-6
Perustuotenumero
ZXMN2
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
ZXMN2B03E6DKR
ZXMN2B03E6CT
ZXMN2B03E6TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SI3442BDV-T1-E3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
26929
DiGi OSA NUMERO
SI3442BDV-T1-E3-DG
Yksikköhinta
0.17
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
RUQ050N02TR
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
2985
DiGi OSA NUMERO
RUQ050N02TR-DG
Yksikköhinta
0.31
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFBC40LCL
MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
IRF740LCSTRR
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
ZVN3310ASTOB
MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
