Valmistajan tuotenumero:
ZXMN2F34MATA
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
ZXMN2F34MATA-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount DFN322
Varasto:
12887725
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
ZXMN2F34MATA Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
277 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.35W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DFN322
Pakkaus / Kotelo
3-PowerVDFN
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
ZXMN2F34MACT
ZXMN2F34MADKR
ZXMN2F34MATR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
ZVN2110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
DMN3030LFG-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8